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【聚焦6·18】 福联砷化镓项目进展顺利 推动集成电路的自主可控国产化进程

发布日期:2018年06月08日
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福建省福联集成电路有限公司成立于 2015年10月,在2016年启动《砷化镓、氮化镓项目(一期六英寸砷化镓集成电路芯片生产线)》项目建设,2017年完成生产线的通线,具备砷化镓射频功放芯片的量产能力与军工雷达收发芯片的合作开发能力。福联累计至2017年完成投资7.33亿元,将在2018年完成一期的总投资10亿元,建成月产3000片6英寸砷化镓晶圆的生产线。

福联技转的主力HBT工艺技术,性能和可靠性表现极优越和稳定,已经完成符合国际标准的可靠性验证,正在进行第二轮客户MPW流片;另一种主力pHEMT(PA25)工艺技术,0.25微米工艺完成制程调试,也即将开始客户MPW流片。采用高线性HBT工艺生产的射频功放芯片,应用在2G/3G/4G及5G sub-6GHz、WIFI(802.11a/b/n/ac),预计2018年Q3即可完成客户验证,开始批量化生产。

在技转基础上,福联独立自主研发完成的HBT外延结构,突破外延片的物料限制;目前正在进行pHEMT外延结构的自主开发。同时福联也在进行0.25微米pHEMT的ED25、0.15/0.10微米pHEMT的PA15/PA10工艺自主开发、IPD无源器件及PIN二极管的开发。预计将于 2018年完成上述自主研发的主要项目,可在 2019年将上述工艺推向市场,进一步提升福联公司工艺产品的应用领域,满足更高频更宽广范围的微波、毫米波、太赫兹等射频领域的广泛应用。

经过两年多的项目建设,工艺调试、技术研发,以及稳定性、一致性、可控性等方面深入细致的改进、提升,福联公司的生产线和产品性能好、可靠性强、工艺技术稳定。

生产线量产后,还将极大改善和推动移动通讯领域之关键射频功率器件依赖进口产品的局面,推动移动通讯领域功率放大集成电路的国产化进程,特别是能够在军工产品雷达、导航通讯、航天等领域的研发、生产方面做出自己的贡献。

 



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